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元件参数资料
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参数目录33436
> MMBTA64LT1G TRANS SS DARL PNP 30V SOT23
型号:
MMBTA64LT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS SS DARL PNP 30V SOT23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MMBTA64LT1G PDF
产品变化通告
Possible Adhesion Issue 11/July/2008
Copper Wire Change 19/May/2010
产品目录绘图
Transistor SOT-23-3 Pkg
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
1.5V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
20000 @ 100mA,5V
功率 - 最大
225mW
频率 - 转换
125MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3(TO-236)
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1562 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
MMBTA64LT1GOS
MMBTA64LT1GOS-ND
MMBTA64LT1GOSTR
查看MMBTA64LT1G代理商
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